超辐射发光二极管(SLD)具有宽光谱、高功率的优点，在光纤陀螺、光学相干成像和波分复用等领域都具有广泛的应用。为实现宽光谱的输出，通常在SLD的端面处镀上增透膜来抑制腔内模式的激射。然而，残余的端面反射依然会导致模式振荡而产生不必要的波纹噪声(ripple)。为抑制模式振荡，现有的SLD广泛采用了弯曲波导的设计。然而，过大的弯曲角度不仅会抑制腔内模式的激射，同时会引入额外的模式损耗并导致SLD输出功率降低。为获得高质量的宽光谱光源，需展开进行以下研究：

1、 优化腔面镀膜工艺：在理想状态下，完全透射的腔面膜能有效抑制模式激射且不会引入额外的模式损耗。同时，高质量的外延膜可以保证器件稳定可靠的工作，提升器件的应用水平。

2、 优化脊波导结构：设计弯曲波导以抑制模式振荡，在此基础之上对脊波导结构进行优化以降低模式损耗，提升器件输出功率。

3、 优化外延层状结构：通过层状结构的优化提升器件的功率转化效率，同时降低器件模式增益以抑制模式振荡。

设计一款中心波长为756nm的超辐射发光二极管，器件3dB谱宽应大于20nm、波纹噪声小于0.2dB。

福建中科光芯光电科技有限公致力于光芯片、光器件及模组的研发、生产、及销售。公司目前拥有完整的外延生长、芯片微纳加工及器件封装产业线。能独立自主的完成从芯片设计、外延生长、封装测试的全流程开发。公司具有完整的质量评价体系，且具备批量化生成能力，拥有福州、石狮、武汉、黄石等多个研发生产基地，能实现从研发到产品的成果转化。公司目前年销售超过5000万颗光芯片及器件，已累计销售超过2.5亿颗光芯片及器件，产品得到了通讯厂商的广泛认可。

公司早在2020年便开展了高功率SLD芯片的研发工作，并率先取代400G OTN网络中的L band EDFA。但芯片仍然存在输出功率不足，波纹噪声过大等问题。需深入研究器件的工作机理，降低波纹噪声及模式损耗。同时需拓展器件的波长范围，以适应多种应用需求。

756nm波段的SLD广泛用于光学相干成像(OCT)技术。OCT技术借助宽带光源的窄相干特性，精准提取单次散射信号，并重建样品内部结构信息，在生物医学领域展现出广阔的应用前景。相比于长波而言，短波长往往具有更高的纵向分辨率而能够精确的成像。同时，756nm波段的光源并不会伤害组织细胞，确保了其在临床应用中的安全性与有效性。使用OCT技术能帮助医生准确评估血管病变情况，为疾病的早期诊断和治疗提供了有力支持。2023年中国OCT市场规模达到约10.7亿元，近五年年均复合增长率达到14.62%。如今国内的SLD依然依赖于进口，为了打破这一局面，加强国家经济安全，并推动本土高科技产业的自主发展，深入研究与提升SLD的性能水平，实现其国产替代，已成为当务之急。这不仅有助于减少对外部供应链的依赖，还能促进技术创新，提升产业链的整体竞争力，为国家的科技自立自强贡献力量。

项目要求应征方需具有博士学历，在半导体光电子领域有扎实的专业基础。团队成员需具备与项目需求相匹配的专业技能，包括但不限于半导体光电子器件模拟与仿真、化合物材料的外延生长、半导体光电子器件测试分析等。要求能够熟练的阅读和理解英文文献、具有较强的创新意识、良好的沟通能力和团队精神。应征方应保证其提供的所有技术资料、设计方案、源代码、专利提案等均为原创，不侵犯任何第三方的知识产权。项目执行过程中产生的一切知识产权，包括但不限于专利申请权、软件著作权、商标权、商业秘密等，均自动归福建中科光芯光电科技有限公司所有。除非另有特别约定，项目合作期间及项目结束后因项目成果产生的所有商业收益（包括但不限于销售收入、利润、许可费、转让费等）均归建中科光芯光电科技有限公司所有。本项目自2024年11月1日起正式启动，至2025年10月31日止，总时长为一年(即12个月)。为确保项目按时推进，双方应共同制定详细的项目里程碑计划并保证计划的严格执行。应征方需在2025年11月1日前，全面完成本项目所有工作任务，并达到验收标准。